刻蝕機和光刻機相信大家都很陌生吧,這兩者有什么區(qū)別呢?
1、工藝不同:刻蝕機是將硅片上多余的部分腐蝕掉,光刻機是將圖形刻到硅片上。
2、難度不同:光刻機的難度和精度大于刻蝕機。
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕,是干法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。
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