以KVR16N11/4內(nèi)存條為例，后面的4表示單條4G容量的，KVR表示金士頓的意思，16N表示是DDR3 1600三代內(nèi)存條。可根據(jù)此例自行查看所購(gòu)買的金士頓內(nèi)存條的信息，及容量大小。

　　內(nèi)存條（Random Access Memory，縮寫：RAM）又稱隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。

　　內(nèi)存條工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失。

　　存儲(chǔ)容量：即一根內(nèi)存條可以容納的二進(jìn)制信息量，如常用的168線內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB。

　　存取速度（存儲(chǔ)周期）：即兩次獨(dú)立的存取操作之間所需的最短時(shí)間，又稱為存儲(chǔ)周期，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存取周期一般為60納秒至100納秒。

　　存儲(chǔ)器的可靠性：存儲(chǔ)器的可靠性用平均故障間隔時(shí)間來(lái)衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。

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