Nand-flash是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。

　　Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

　　Flash內(nèi)存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種長壽命的非 易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的 存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除 只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是按區(qū)塊擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快，所以被稱為Flash erase EEPROM，或簡稱為Flash Memory。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存 設(shè)置信息，如在電腦的 BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（ 個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM（ 隨機存取存儲器）一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。

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